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FDD850N10LD

Prezzo ladder

454 pcs Stock
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codice articolo del costruttore : FDD850N10LD
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Condizione di scorta : 454 pcs Stock
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Nave da : Hong Kong
Specifiche : FDD850N10LD.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte FDD850N10LD
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 454 pcs
Specifiche FDD850N10LD.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-5
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 75 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Altri nomi FDD850N10LD-ND
FDD850N10LDTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15.3A (Tc)
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