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FQPF3N80

Prezzo ladder

350 pcs Stock
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codice articolo del costruttore : FQPF3N80
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Condizione di scorta : 350 pcs Stock
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
Nave da : Hong Kong
Specifiche : FQPF3N80.pdf
Modo di spedizione : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numero di parte FQPF3N80
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 350 pcs
Specifiche FQPF3N80.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 5 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800V
Descrizione dettagliata N-Channel 800V 1.8A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
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