codice articolo del costruttore : | AS4C64M8D2-25BIN |
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Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
Costruttore / Marca : | Alliance Memory, Inc. |
Condizione di scorta : | 823 pcs Stock |
Descrizione : | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | AS4C64M8D2-25BIN |
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fabbricante | Alliance Memory, Inc. |
Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 823 pcs |
Specifiche | AS4C64M8D2-25BIN.pdf |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
Tensione di alimentazione - | 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Contenitore dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Serie | - |
imballaggio | Tray |
Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
Altri nomi | 1450-1129 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria | Volatile |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | DRAM |
Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10) |
Frequenza dell'orologio | 400MHz |
Tempo di accesso | 400ps |
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
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DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
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