codice articolo del costruttore : | ZXM66P02N8TC | Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
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Costruttore / Marca : | Diodes Incorporated | Condizione di scorta : | 4423 pcs Stock |
Descrizione : | MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC | Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | ZXM66P02N8TC.pdf | Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | ZXM66P02N8TC |
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fabbricante | Diodes Incorporated |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 4423 pcs |
Specifiche | ZXM66P02N8TC.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 700mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2068pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43.3nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Ta) |
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