codice articolo del costruttore : | EMG11T2R |
---|---|
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Condizione di scorta : | 8048 pcs Stock |
Descrizione : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | EMG11T2R(1).pdfEMG11T2R(2).pdf |
Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | EMG11T2R |
---|---|
fabbricante | LAPIS Semiconductor |
Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 8048 pcs |
Specifiche | EMG11T2R(1).pdfEMG11T2R(2).pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | EMT5 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Potenza - Max | 150mW |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Altri nomi | EMG11T2RCT |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 250MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Numero di parte base | *MG11 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5