codice articolo del costruttore : | STH250N55F3-6 | Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
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Costruttore / Marca : | STMicroelectronics | Condizione di scorta : | 5540 pcs Stock |
Descrizione : | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 | Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | STH250N55F3-6.pdf | Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | STH250N55F3-6 |
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fabbricante | STMicroelectronics |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 5540 pcs |
Specifiche | STH250N55F3-6.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | H²PAK |
Serie | STripFET™ III |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Altri nomi | 497-11309-1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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