codice articolo del costruttore : | NGTD13R120F2WP | Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
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Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Condizione di scorta : | 14193 pcs Stock |
Descrizione : | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | NGTD13R120F2WP.pdf | Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | NGTD13R120F2WP |
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fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 14193 pcs |
Specifiche | NGTD13R120F2WP.pdf |
Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 2.6V @ 25A |
Tensione - inversa (Vr) (max) | 1200V |
Contenitore dispositivo fornitore | Die |
Velocità | - |
Serie | - |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | Die |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Produttore tempi di consegna standard | 4 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo diodo | Standard |
Descrizione dettagliata | Diode Standard 1200V Surface Mount Die |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1µA @ 1200V |
Corrente - raddrizzata media (Io) | - |
Capacità a Vr, F | - |
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 600V 75A TO247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT 600V 75A TO247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 75A 600V TO-247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE