codice articolo del costruttore : | IS43R86400F-5BLI-TR | Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
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Costruttore / Marca : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Condizione di scorta : | 3585 pcs Stock |
Descrizione : | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | Nave da : | Hong Kong |
Specifiche : | IS43R86400F-5BLI-TR.pdf | Modo di spedizione : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numero di parte | IS43R86400F-5BLI-TR |
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fabbricante | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 3585 pcs |
Specifiche | IS43R86400F-5BLI-TR.pdf |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 15ns |
Tensione di alimentazione - | 2.3 V ~ 2.7 V |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Contenitore dispositivo fornitore | 60-TFBGA (13x8) |
Serie | - |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 60-TFBGA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo di memoria | Volatile |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Formato di memoria | DRAM |
Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (13x8) |
Frequenza dell'orologio | 200MHz |
Tempo di accesso | 700ps |
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II